TSB1N21D3G75LV0EQT

(旧品番 FI212B3750EQ-T)

セラミックRFデバイス

[セラミックRFデバイス(バンドパスタイプ)for 5G]


外観

製品仕様

供給体制 量産(推奨)
システム LTE/5G
通過帯域周波数1 (f1) 3300 to 4200 MHz
挿入損失2 (max)(f1内) 2 dB at 3300 to 4200MHz (-40 to +85 ℃)
VSWR1 (max)(f1内) 2 at 3300 to 4200MHz
減衰量1 (min)(f1) 35 dB at 600 to 2700MHz
減衰量2 (min)(f1) 20 dB at 4900 to 5900MHz
入力インピーダンス / 出力インピーダンス 50 Ω / 50 Ω
L寸法 2.0 ±0.15 mm
W寸法 1.25 ±0.15 mm
T寸法 Max 0.65 mm
使用温度範囲 -40 to +85 ℃
RoHS指令対応 (10 物質) Yes
REACH対応 (240 物質) Yes
IEC62474 (Ver. D28.00) 対応 Yes
ハロゲンフリー Yes
適用はんだ付け法 Reflow
標準梱包 Taping Embossed 5000pcs
詳細情報は営業担当者にご確認ください。
記載内容についてのお問い合わせ、及び記載アイテムのご注文の際には弊社営業まで御連絡ください。

特徴

5G NR対応

高耐電力

安定した温度特性

詳細は営業担当にご確認下さい

製品資料

リンク

製品環境証明書

特性値グラフ

{{title}}